对英特尔Panther Lake处理器的物理拆解显示，其采用的18A制程工艺具备竞争力，但并未实现超越台积电的“魔法式”飞跃。
针对Core Ultra 7 365处理器的详细检查揭示了晶体管、布线、封装及独立芯片模块的真实面貌。作为英特尔首款商用RibbonFET（环绕栅极）晶体管和PowerVia背面供电技术的处理器，Panther Lake承载着恢复英特尔制造信誉的重任。拆解证实了工程设计的落地，但其竞争态势并未如市场部门预期的那样具有戏剧性。
工艺密度：看齐台积电N3E，未夺桂冠
拆解发现，英特尔18A计算逻辑的逻辑密度大致与台积电N3E GPU逻辑相当。然而，18A并未在密度上超越台积电N3P、N2或三星SF2。这意味着英特尔重新掌握了一种严肃的现代工艺，但不再具备其在10nm危机前所拥有的明确制造领先优势。
在晶体管结构上，英特尔RibbonFET采用四个堆叠的水平硅纳米片取代FinFET结构，以提供更好的静电控制。相比之下，三星类似的SF2 MBCFET结构使用三个纳米片。不过，纳米片数量并非决定性能的唯一因素，宽度、厚度、材料及电气特性同样关键。
架构变革：PowerVia背面供电缓解拥堵
PowerVia技术带来了更显著的架构变化。传统芯片中，电源和信号通过晶体管上方的金属层路由，导致在拥挤空间中相互竞争。英特尔将主要电源分配网络移至晶圆背面，通过背面金属层和纳米级硅通孔（Nano-TSV）连接局部晶体管接触点，而大部分信号布线仍保留在前端。
Panther Lake的实现方案包含前端M0至M14金属层，以及背面BM0至BM5共六层金属层。这种设计将电源移离前端，减少了布线拥塞，允许使用更短、更宽的电源连接，从而改善电压传输效率并为信号布线留出更多空间，尽管这也使制造过程更为复杂。
英特尔此前表示，18A相比Intel 3可提供高达15%的每瓦性能提升和30%的芯片密度增加。该公司已于2025年投入18A生产，并正在开发增强版18A-P工艺。
全球供应链：多工艺混搭与封装整合
尽管英特尔强调美国制造，但Panther Lake展现了高度的全球化供应链特征。两款Panther Lake计算模块变体均采用英特尔18A工艺；较小的四核Xe3 GT1图形模块采用Intel 3工艺，而较大的12核GT2图形模块则由台积电N3E代工；I/O模块使用台积电N6工艺。英特尔利用Foveros-S封装技术将这些模块整合在被动基板上。
核心效益：缓存密度显著提升
拆解还揭示了新工艺在核心层面的益处。Panther Lake的Cougar Cove P核在面积与Lunar Lake和Arrow Lake中Lion Cove核心相当的情况下，集成了多出20%的L2缓存。其Darkmont低功耗E核集群比Lunar Lake中的Skymont等效集群小5%，缩减主要源于更密集的L2缓存区域。
此次物理检查证明，英特尔制造路线图已回到生产具有竞争力硅片的轨道上。但这并不等同于重获绝对工艺优势。成本、良率、时钟频率、功耗以及大规模经济制造18A的能力，将是决定未来竞争格局的关键因素。