三星电子已同意采用台积电的制造工艺，为英伟达生产定制化的NVHBM高带宽内存基础芯片。这一决定使其代工部门面临微妙局面，但也标志着三星与台积电在HBM制造环节的首次深度合作。

据媒体报道，英伟达要求三星、SK海力士和美光在其NVHBM基础芯片制造中统一使用台积电3nm工艺。三星经内部审查后接受了该要求。此举打破了三星以往自行生产内存芯片及底层逻辑芯片的传统模式。

四年前，双方曾就三星HBM与台积电GPU封装工艺的兼容性进行过合作。此次协议将合作关系从封装阶段进一步延伸至芯片生产制造环节。

NVHBM于今年8月发布，其特点是将英伟达定制的内存控制器集成至基础芯片中。英伟达旨在通过统一所有内存供应商的实现方式，减少产品差异并降低验证工作量。此外，相关内存芯片还将采用被称为“1c”的第六代DRAM技术。

值得注意的是，三星计划在其标准HBM及面向其他客户（包括AMD）的定制产品中，继续保留内部制造方法。目前，其HBM4基础芯片采用三星自有4nm工艺，正在大规模生产验证中的HBM4E也遵循相同路径，由三星在华城和平泽工厂制造。

有行业资深人士透露，三星正在评估若台积电产能不足，其代工部门是否具备制造NVHBM基础芯片的能力，以应对潜在的需求溢出。