数据显示，部分DRAM芯片每平方毫米的账面价值，已超越台积电先进N2或N3制程晶圆的加工成本。
据Kurnal Insights分析，若以1Gb DRAM价格1.50美元计算，其潜在销售价值约为每平方毫米0.654美元。相比之下，基于3万美元的晶圆报价，台积电300mm N2晶圆的估算加工费为每平方毫米0.424美元；若按2万美元报价计算，N3制程则为每平方毫米0.283美元。
上述DRAM假设价格贴近近期市场现货水平。援引DRAMeXchange数据，DDR5 eTT芯片16Gb均价为24.80美元，折合每Gb约1.55美元。在此价格下，1Gb DRAM的理论价值进一步升至每平方毫米约0.676美元。
需注意的是，两项数据的统计口径存在本质差异：台积电数据反映的是客户支付的晶圆代工费用，而DRAM数值基于成品内存的可能售价。因此，这一对比并不能证明制造DRAM比制造先进处理器更昂贵。
此外，该估算存在诸多局限。晶圆价格仅为非官方预估，且简单除以总面积忽略了无效边缘区域、测试结构、缺陷率、良率及封装成本。同时，内存计算采用的是波动较大的现货价格，而三星、SK海力士和美光等大厂的大部分产量通过长期合约销售，其实际成交价并未纳入统计。
TrendForce警告称，DDR5现货交易仍然零星且有限，无法代表主流厂商的实际收益。任何声称此计算证明内存厂商单片晶圆获利高于台积电的观点，均忽略了上述关键前提。
尽管如此，这一现象仍凸显了AI基础设施热潮推动下内存价格的显著涨幅。即便存在诸多前置条件，在过往DRAM价格随时间递减的常态背景下，此类价值倒挂曾显得不可思议。